11月3日，由芯師爺主辦、深福保集團冠名的“2020年度硬核中國芯領袖峰會暨評選頒獎盛典”圓滿落幕。在“2020年硬核中國芯”評選中，華大半導體憑借卓越的產品性能以及優異的市場表現，一舉斬獲“2020年度最佳國產MCU產品獎”和“2020年度最具影響力IC設計企業”兩項大獎。

2020年度最具影響力IC設計企業

2020年度最佳國產MCU產品獎 · HC32L136

關于華大半導體HC32L136

       1. 芯片基于ARM Cortex-M0+內核，采用多項超低功耗設計技術，集成12bit 1Msps 逐次逼近型SAR ADC、LCD驅動、運算放大器OPA以及多路UART、SPI、I²C等豐富的通訊外設，能夠妥善處理功耗與資源之間的平衡，內建128位AES、TRNG硬件真隨機數產生器和Unique-ID唯一序列號等安全模塊，并支持1.8V~5.5V寬電壓工作范圍，具備高整合度、超低功耗、高可靠性特性。

       2. 芯片集成SAR ADC、LCD驅動、運算放大器OPA以及多路UART、SPI、I²C等豐富的通訊外設，具備高整合度、超低功耗、高可靠性等特性。芯片性價比高，可以有效節省系統BOM成本，在物聯網等對低功耗特性有強烈要求的應用里，價格優勢明顯。

       3. 產品創新點

       創新點一：基于超低溫漂技術的超低功耗電路設計理論和技術。依靠新型的超低功耗電源管理（PMU）技術、超低功耗帶隙基準源（LPBGR）技術和超低功耗低電壓檢測（LVD）技術，實現全芯片超低待機電流控制標志效果達到小于0.45μA。

       創新點二：異步設計和DLL降噪技術的高能效時鐘域設計理論和技術。依靠異步設計電路，優化時鐘架構，優化高頻時鐘產生電路，指令預存取技術，實現超高能量效率控制標志效果達到23.19CoreMark/mA以上。

       創新點三：自適應電壓平衡技術的高速啟動設計理論和技術。依靠超大范圍負載低壓差線性穩壓器（LDO）、高精度高啟動速度RC振蕩器（IRCOSC）、高精度低速IRCOSC等控制技術，實現超快喚醒時間控制標志效果達到小于3μS。

       創新點四：改進型密閉環技術的高可靠性電路設計理論和技術。芯片實現高可靠性創新：ESD人體放電模型達到±8KV，處于國際標準JEDEC JS-001分級中的最高等級Class 3B；EFT快速電脈沖群達到±4KV，處于國際標準IEC61000-4-4分級中最高等級Class 4。

       華大半導體自主研發低功耗系列產品，形成并申請知識產權82項，其中專利75項（已授權13項）、集成電路布圖登記7項（全部授權）。

       4. 應用方案

       （1）額溫槍應用方案

       （2）血氧儀應用方案

       （3）智能水表應用方案

       （4）ETC應用方案

       （5）溫控器應用方案

       （6）NB-IoT無線模塊應用方案

       5. 在國內工業數據采集、水氣表、ETC、額溫槍、血氧儀等市場取得較高份額，市占率已超過40%。尤其在2019年ETC不停車收費系統建設和2020年抗擊新冠肺炎疫情過程中，超過6500萬顆本項目產品被應用到ETC/OBU車載單元、額溫槍與血氧儀的生產中。在相關進口芯片供應短缺而生產需求又極為迫切的關鍵時刻，成功實現了進口替代，解決了智慧交通建設與防疫抗疫的重大技術保障問題。